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通過BET方法分析多孔二氧化硅的比表面積/四型等溫吸脫附曲線

2021-11-09

隨著孔隙的增(zeng)(zeng)加或(huo)者粒徑的減小(xiao),粉末的比表面積(單位(wei)質量的表面積)會(hui)增(zeng)(zeng)加。通過BET理論(lun)(lun)(lun)可(ke)以從吸(xi)附等溫曲線(xian)中(zhong)獲得比表面積(Brunauer-Emmett-Teller 理論(lun)(lun)(lun): 多分子層(ceng)吸(xi)附理論(lun)(lun)(lun)) ,該理論(lun)(lun)(lun)遵循以下3個假設(she):

對于(yu)II 和 IV型等(deng)溫線(xian),在BET公式(shi)(公式(shi)1)中(zhong), p/p0在0.05-0.3 之間(形(xing)成(cheng)單分子層(ceng)的(de)(de)相對壓力(li)范圍)的(de)(de)曲(qu)線(xian)為一(yi)(yi)條直線(xian)。 由BET曲(qu)線(xian)中(zhong)的(de)(de)斜率和截(jie)距分別可以(yi)得(de)到(dao)C常(chang)數和單層(ceng)吸(xi)附(fu)量(liang)(liang)(liang)(Vm)。單層(ceng)吸(xi)附(fu)量(liang)(liang)(liang) (cm3 (STP) g-1)表(biao)(biao)示轉化成(cheng)標準狀態下的(de)(de)覆蓋(gai)所(suo)有固體表(biao)(biao)面的(de)(de)氣體分子體積(ji)。 BET比表(biao)(biao)面積(ji)是通過單層(ceng)吸(xi)附(fu)層(ceng)上的(de)(de)吸(xi)附(fu)質(zhi)分子的(de)(de)截(jie)面積(ji)乘以(yi)吸(xi)附(fu)量(liang)(liang)(liang)轉化的(de)(de)覆蓋(gai)分子數,計算得(de)到(dao)的(de)(de)(公式(shi) 2)。 吸(xi)附(fu)截(jie)面取決于(yu)吸(xi)附(fu)劑和吸(xi)附(fu)質(zhi)之間的(de)(de)相互作用(yong)和吸(xi)附(fu)溫度。σ=0.162 nm2一(yi)(yi)般(ban)用(yong)于(yu)N2分子截(jie)面積(ji)。

 

Starting adsorption on the adsorption site on the solid surface

在固體表面(mian)的吸附(fu)位(wei)點開始吸附(fu)

 

First and second layers and adsorbed molecules form multimolecular layers

一(yi)層,第二層和被吸附的分(fen)子形成多分(fen)子層

 

BET理(li)論:3個假設

 

①    表面能均(jun)一

②    吸(xi)附分子之(zhi)間無相互作用

③    第二層和所有高層的(de)吸附(fu)能等于吸附(fu)劑的(de)冷凝能

 

V:平衡壓力下(xia)的吸附量

Vm :單層吸附量

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q1: 一層吸附熱

qL:液體冷凝熱

σ: 吸附(fu)截面(mian)積 /nm2

 

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4.png

在(zai)上述(shu)的Develosil100 在(zai)[email protected] K 下的脫附曲(qu)線 (Fig. 1)被分類為(wei)(wei)IV型曲(qu)線,這被作為(wei)(wei)中(zhong)孔的一種標志。從該(gai)等溫曲(qu)線中(zhong),BET曲(qu)線 (Fig. 2)顯示(shi)evelosil100D的比表(biao)面積為(wei)(wei)296 m2 g-1。

5.png



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